категория:Технологии

Среда, 25 января 2023 | 12:10

SK Hynix представила самую быструю память для смартфонов и не только — LPDDR5T со скоростью 9,6 Гбит/с

Прошло всего два месяца после анонса самой быстрой в мире памяти LPDDR5X для мобильных устройств, а компания SK hynix уже представляет более быструю память LPDDR5T. Данная память станет последним этапом в подготовке к переходу на чипы LPDDR6, а чтобы подчеркнуть исключительно высочайшие качества новинки новая модификация LPDDR5 получила приставку «T», что означает Turbo.

 Источник изображений: SK Hynix

Источник изображений: SK hynix

LPDDR5T будет на 13 % быстрее памяти LPDDR5X, что потребуется новым мобильным устройствам от смартфонов до AR/VR-гарнитур и других устройств, а также для приложений искусственного интеллекта и, особенно, для периферийных ИИ-решений в виде роботов и других решений.

Как известно, скорость передачи представленных в октябре прошлого года чипов LPDDR5X достигает 8,5 Гбит/с на контакт. Скорость работы памяти LPDDR5T заявлена на уровне 9,6 Гбит/с на контакт. При этом потребление чипов выросло незначительно, что позволяет говорить о росте энергоэффективности.

Массовое производство микросхем LPDDR5T компания SK hynix намерена запустить во второй половине текущего года. Продукция сразу же будет пользоваться спросом, поскольку образцы микросхем уже отправлены для изучения многочисленным клиентам компании. Вероятно, в готовых продуктах память LPDDR5T дебютирует на CES 2024, а в широкой продаже появится зимой и весной следующего года.

Микросхемы LPDDR5T производятся с использованием четвёртого поколения техпроцесса класса 10 нм (в обозначении SK hynix — 1anm). Для изготовления ключевых транзисторов ячеек памяти задействован так называемый техпроцесс HKGM (High-K Metal Gate) хорошо известный нам по производству процессоров. Для изоляции металлических затворов транзисторов используется плёнка с высокой диэлектрической проницаемостью, которая снижает токи утечек, что повышает производительность транзисторов и снижает их потребление.

Питание чипов LPDDR5T лежит в сверхнизком диапазоне напряжений, установленном комитетом JEDEC для памяти LPDDR5: от 1,01 до 1,12 В. До появления памяти LPDDR6 более быстрого продукта поколения LPDDR5 может не появиться. Тем не менее, будет интересно узнать, чем компания Samsung ответит на самодеятельность SK hynix в виде маркировки «Турбо»?


4 |  0   0